湘能华磊光电申请减少波长红移的全光谱LED外延生长方法专利减少室温与热态条件下主波长差值

　　

　　国家知识产权局信息显示，湘能华磊光电股份有限公司申请一项名为“减少波长红移的全光谱LED外延生长方法”的专利，公开号CN121398281A，申请日期为2025年10月。

　　专利摘要显示，本发明适用于半导体技术领域，提供了减少波长红移的全光谱LED外延生长方法，采用金属有机化学气相沉积反应腔进行外延材料生长，通过在发光层中形成多个V型坑，并在V型坑中引入Fe掺杂GaN层、Fe和C共掺杂GaN层、BGaN层，促使室温下更多的空穴到达N侧的长波量子阱，减少室温与热态条件下到达N侧长波量子阱的空穴数量差异，从而减少室温与热态条件下主波长差值，减少波长红移，同时提高光输出功率，提升亮度，有效解决全光谱LED在室温和热态工作温度下主波长差值大、波长发生红移的技术问题。

　　天眼查资料显示，湘能华磊光电股份有限公司，成立于2008年，位于郴州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本43700.129万人民币。通过天眼查大数据分析，湘能华磊光电股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目343次，财产线条，此外企业还拥有行政许可39个。

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